EP-C5050 vs EOS P 770 比較

EP-C5050とEOS P 770(どちらもSelective Laser Sintering方式)のスペックの違いをまとめました。

主な違い

  • 造形サイズ(造形できる体積)はEOS P 770のほうが大きく、約1.1倍です(EP-C5050: 520 × 520 × 500 mm、EOS P 770: 700 × 380 × 580 mm)。
  • 本体の重さはEP-C5050のほうが軽くなっています(EP-C5050: 1600 kg、EOS P 770: 2300 kg)。

※登録データから自動でまとめています。価格は登録時点の参考価格です。どちらが合うかは、造形したいものの大きさや用途、予算によって変わります。

スペック比較表

値が異なる項目
項目EP-C5050EOS P 770
メーカーEplus3DEOS
造形方式Selective Laser SinteringSelective Laser Sintering
価格価格未定価格未定
本体サイズ2000 × 1300 × 2300 mm2250 × 1550 × 2100 mm
造形サイズ520 × 520 × 500 mm700 × 380 × 580 mm
重さ1600 kg2300 kg
解像度(XY)--
解像度(Z)--
積層ピッチ0.08 ~ 0.3 mm-
造形速度--
ノズル最大温度--
ベッド最大温度--
チャンバー最大温度--
ノズル径--
フィラメント径--
光源波長--
電源380V, 22A, 10kW, 50/60Hz1 x 32 A
販売状況販売中販売中
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